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005 __ 20181113235048.0
010 __ ■a978-7-121-34267-7■dCNY59.90
100 __ ■a20181114d2018    em y0chiy50      ea
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105 __ ■aa   az  000yy
106 __ ■ar
200 1_ ■a微电子器件■9wei dian zi qi jian■f陈星弼[等]编著
205 __ ■a4版
210 __ ■a北京■c电子工业出版社■d2018
215 __ ■a14,333页■c图■d26cm
300 __ ■a“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 微电子与集成电路设计系列规划教材
304 __ ■a编著者还有:陈勇、刘继芝、任敏
320 __ ■a有书目
330 __ ■a本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。
606 0_ ■a微电子技术■x电子器件■x高等学校■j教材
690 __ ■aTN4■v5
701 _0 ■a陈星弼■9chen xing bi■4编著
801 _0 ■aCN■b91MARC■c20181114
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