Sb基高电子迁移率晶体管/武利翻著
| 文献条码 | 索书号 | 状态 | 所属分馆 | 所在馆 | 馆藏地点 | 架位号 | 单价 | 套价 | 入库日期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H00170316 | TN32/0001 | 在架 | 苍溪县图书馆 | 苍溪县图书馆 | 漓江镇分馆 | CNY36.00 | CNY36.00 | 2017-10-25 | 登录 |
| 订购年份 | 验收类型 | 验收期数 | 验收数量 | 验收日期 |
|---|---|---|---|---|
| 未找到数据 | ||||
000 cam0
001 __ 01194553
005 __ 20200108153533.0
010 __ ■a978-7-5604-4429-1■dCNY36.00
100 __ ■a20200408d2019 em y0chiy50 ea
101 0_ ■achi
102 __ ■aCN■b610000
105 __ ■aak z 000yy
106 __ ■ar
200 1_ ■aSb基高电子迁移率晶体管■9Sb ji gao dian zi qian yi lv jing ti guan■f武利翻著
210 __ ■a西安■c西北大学出版社■d2019
215 __ ■a108页■c图■d24cm
330 __ ■a本书包括五个部分,即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。
606 0_ ■a高电子迁移率晶体管■x研究
690 __ ■aTN32■v5
701 _0 ■a武利翻■9wu li fan■4著
801 _0 ■aCN■b91MARC■c20200408
905 __ ■bH00170316■aTSG■dTN32■e0001■f1
906 __ ■d36.00
001 __ 01194553
005 __ 20200108153533.0
010 __ ■a978-7-5604-4429-1■dCNY36.00
100 __ ■a20200408d2019 em y0chiy50 ea
101 0_ ■achi
102 __ ■aCN■b610000
105 __ ■aak z 000yy
106 __ ■ar
200 1_ ■aSb基高电子迁移率晶体管■9Sb ji gao dian zi qian yi lv jing ti guan■f武利翻著
210 __ ■a西安■c西北大学出版社■d2019
215 __ ■a108页■c图■d24cm
330 __ ■a本书包括五个部分,即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。
606 0_ ■a高电子迁移率晶体管■x研究
690 __ ■aTN32■v5
701 _0 ■a武利翻■9wu li fan■4著
801 _0 ■aCN■b91MARC■c20200408
905 __ ■bH00170316■aTSG■dTN32■e0001■f1
906 __ ■d36.00
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